電子元器件的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及條件有哪些
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健明迪檢測(cè)提供的電子元器件的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及條件有哪些 ，電子元器件的低氣壓試驗(yàn)條件 1）試驗(yàn)氣壓 GJb548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個(gè)不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗(yàn)條件有一定的規(guī)律性，具有CMA,CNAS認(rèn)證資質(zhì)。
電子元器件的低氣壓試驗(yàn)條件
1）試驗(yàn)氣壓
GJb 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個(gè)不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗(yàn)條件有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小；GJb 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個(gè)不同條件下的高度氣壓值，并且所列的高度-氣壓表中的試驗(yàn)條件由A到試驗(yàn)條件E有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小，而由試驗(yàn)條件F到試驗(yàn)條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。與GJb 548所列的試驗(yàn)條件對(duì)比，GJb 360試驗(yàn)條件增加了條件H到試驗(yàn)條件J，對(duì)應(yīng)的氣壓高度條件分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7、6kPa；K：25 000m， 2、5 kPa。
2）試驗(yàn)時(shí)間
GJb 360B-2009規(guī)定：
若無其他規(guī)定，試驗(yàn)樣品在低氣壓條件下的試驗(yàn)時(shí)間，可從下列數(shù)值中選取：
5min、30min、1h、2h、4h和16h。
3）升降壓速率
通常不大于10kPa/min
對(duì)于其他相關(guān)問題，請(qǐng)點(diǎn)擊右側(cè)在線咨詢，健明迪檢測(cè)客服將為您分配對(duì)應(yīng)工程師，為您提供更專業(yè)的咨詢。
電子元器件的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
1） G J B 150．2A-2009《軍工裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第2部分低氣壓( 高度） 試驗(yàn)》;
2） G J B 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》( 等效美軍標(biāo)M IL—STD-202F） ;
3） G J B 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓( 高空作業(yè)）》標(biāo)M IL—STD-883D）;
4） G B2421—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》;
5）G B/T 2423．25—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法;
6） G B/T 2423，21—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M 低氣壓試驗(yàn)方法》；
7）G B2423．27—2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM D 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
8） G B/T 2423、26—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
9） G B/T 2424．15—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。
電子元器件的低氣壓試驗(yàn)的目的
1）確定產(chǎn)品在常溫條件下能否耐受低氣壓環(huán)境，在低氣壓環(huán)境下正常工作。以及耐受空氣壓力快速變化的能力。
2）確定常溫條件下元件和材料在低氣壓下耐電擊穿的能力，確定密封元件耐受氣壓差不被破壞的能力，確定低氣壓對(duì)元件工作特性的影響。
3）確定元器件和材料在氣壓減小時(shí)，由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度減弱抗電擊穿失效的能力。
電子元器件是很多行業(yè)中較常使用的零部件之一，而電子元器件的可靠性會(huì)受到多種因素的綜合影響，特別是電子元器件處于低氣壓的環(huán)境中時(shí)，它的散熱、電性能、密閉性能等性能也會(huì)受到影響，從而影響設(shè)備整體的性能穩(wěn)定。因此對(duì)電子元器件進(jìn)行低氣壓試驗(yàn)有著重要意義。那電子元器件的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及條件有哪些？
1）試驗(yàn)氣壓
GJb 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個(gè)不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗(yàn)條件有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小；GJb 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個(gè)不同條件下的高度氣壓值，并且所列的高度-氣壓表中的試驗(yàn)條件由A到試驗(yàn)條件E有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小，而由試驗(yàn)條件F到試驗(yàn)條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。與GJb 548所列的試驗(yàn)條件對(duì)比，GJb 360試驗(yàn)條件增加了條件H到試驗(yàn)條件J，對(duì)應(yīng)的氣壓高度條件分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7、6kPa；K：25 000m， 2、5 kPa。
2）試驗(yàn)時(shí)間
GJb 360B-2009規(guī)定：
若無其他規(guī)定，試驗(yàn)樣品在低氣壓條件下的試驗(yàn)時(shí)間，可從下列數(shù)值中選取：
5min、30min、1h、2h、4h和16h。
3）升降壓速率
通常不大于10kPa/min
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電子元器件的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
1） G J B 150．2A-2009《軍工裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第2部分低氣壓( 高度） 試驗(yàn)》;
2） G J B 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》( 等效美軍標(biāo)M IL—STD-202F） ;
3） G J B 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓( 高空作業(yè)）》標(biāo)M IL—STD-883D）;
4） G B2421—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》;
5）G B/T 2423．25—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法;
6） G B/T 2423，21—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M 低氣壓試驗(yàn)方法》；
7）G B2423．27—2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM D 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
8） G B/T 2423、26—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
9） G B/T 2424．15—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。
電子元器件的低氣壓試驗(yàn)的目的
1）確定產(chǎn)品在常溫條件下能否耐受低氣壓環(huán)境，在低氣壓環(huán)境下正常工作。以及耐受空氣壓力快速變化的能力。
2）確定常溫條件下元件和材料在低氣壓下耐電擊穿的能力，確定密封元件耐受氣壓差不被破壞的能力，確定低氣壓對(duì)元件工作特性的影響。
3）確定元器件和材料在氣壓減小時(shí)，由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度減弱抗電擊穿失效的能力。
電子元器件是很多行業(yè)中較常使用的零部件之一，而電子元器件的可靠性會(huì)受到多種因素的綜合影響，特別是電子元器件處于低氣壓的環(huán)境中時(shí)，它的散熱、電性能、密閉性能等性能也會(huì)受到影響，從而影響設(shè)備整體的性能穩(wěn)定。因此對(duì)電子元器件進(jìn)行低氣壓試驗(yàn)有著重要意義。那電子元器件的低氣壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及條件有哪些？
