1、MEMS傳感器：加速度傳感器、陀螺儀傳感器、壓力傳感器、慣性組合傳感器、聲學傳感器、氣體傳感器、溫度傳感器、溫度傳感器、光學傳感器、MEMS射頻器件、微型熱輻射傳感器、磁傳感器。
2、MEMS執(zhí)行器：DMD數(shù)字微鏡器件、噴墨打印頭、生物芯片、射頻MEMS、微結(jié)構(gòu)、微型揚聲器、超聲波指紋識別等。

GB/T 38341-2019  微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗方法
GB/T 26111 微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 術(shù)語
GB 2423.1電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗A：低溫試驗方法
GB 2423.2電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗B：高溫試驗方法
GB 2423.3電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Ca：恒定濕熱試驗方法
GB 2423.5電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境規(guī)程 試驗Ea：沖擊試驗方法
GB 2423.6電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Eb：碰撞試驗方法
GB 2423.10電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Fc：振動（正弦）試驗方法

MEMS器件高溫貯存試驗可在器件不帶電工作的情況下確定MEMS器件在高溫下較長時間貯存的可靠性，試驗對象為貯存期間可能處于較高溫度環(huán)境的器件。
健明迪檢測可靠性實驗中心具備各種MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗能力，為MEMS器件提供專業(yè)的高溫貯存試驗等服務。

1、應對溫控試驗箱的結(jié)構(gòu)、負載、監(jiān)測位置和氣流進行必要的設(shè)計和調(diào)整，從而保障監(jiān)測到的溫度達到要求。在規(guī)定時間內(nèi)將處于不帶電工作狀態(tài)的待測器件放置于規(guī)定的溫度環(huán)境中，試驗計時開始前保留足夠的升溫時間，以保證所有待測樣品溫度盡量均勻。
2、若無其他規(guī)定，試驗時間應不小于72 h。宜采用最低試驗溫度為±105℃。
3、試驗前將待測器件取出，自然散熱2 h~48 h至室溫，最長應不超過96 h，然后在標準試驗條件中進行測試。